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金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。
超导现象:当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。
电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。
在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。?
由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。
扩展资料：
电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。
当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值，Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。
电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加，电阻温度系数变小。因此，我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。
对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。
实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整，例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。
参考资料：
电阻发热，阻值会变大还是变小
导体的电阻与导体的温度有关,一般金属材料的电阻值随温度的升高而增加,但电解液导体是随温度的升高而降低。
金属导电是电子导电,电子在电场的作用下做定向漂移运动,形成金属中的电流.电子在金属导体中定向运动时,受到的阻碍作用愈小,导体呈现的电阻就愈小.反之,电子运动受到的阻碍作用愈大,它运动得就愈不自由,导体所呈现的电阻就愈大.
电子在定向漂移运动中,受到的阻碍作用是电子与金属中晶体点阵上的原子实碰撞产生的.在金属导体中,晶体点阵上的原子实,虽然基本上保持规则的排列,但并不是静止不动的.每个原子实都在自己的规则位置附近不停地做热振动,整个导体中原子实的热振动并没有统一步调.这样,就在一定程度上破坏了原子实排列的规则性,形成了对电子运动的阻碍作用.原子实的热振动离开自己规则位置愈远,与电子相碰的机会愈多,电子漂移受到的阻碍作用就愈大,导体呈现的电阻也就大起来了.
综上所述,因为温度升高时,原子实的热振动加强,振动的幅度加大,于是,做定向漂移的电子与原子实相碰的机会增多,碰撞次数也增加,所以,金属导体的电阻就增加了.对于纯金属来说,电阻随温度的变化比较规则；在温度变化范围不大时,电阻与温度之间的关系为
R ＝ R 0 ＋（ 1 ＋α t ）
式中 R 0 是 0 ℃时金属导体的电阻,α为该金属导体的电阻温度系数.不同金属材料的电阻温度系数α亦不相同.
但有些合金的电阻随温度变化很小。
这个得看电阻的材料，由于各种物质的电阻率p都和温度有关，因此各种导体的电阻也随温度变化而变化，一般金属导体的电阻随温度变化的升高而增大，少数合金电阻不随温度变化，半导体的电阻随温度变化增高而减小。
常温下一般金属的电阻率与温度的关系为：ρ=ρ0(1+αt)
式中ρ0为0℃时的电阻率; α为电阻的温度系数; 温度t的单位为摄氏温度。半导体和绝缘体的电阻率与金属不同，它们与温度之间不是按线性规律变化的。
当温度升高时，它们的电阻率会急剧地减小。呈现出非线性变化的性质。电阻率的倒数1/ρ称为电导率，用σ表示。它也是描述导体导电性能的参数 ，其国际单位制(SI)是西门子/米 (S/m)。
扩展资料
导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。
KΩ（千欧）， MΩ（兆欧），他们的换算关系是：两个电阻并联式也可表示为
1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω（也就是一千进率）
百度百科-电阻
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